1. (2019·黄山模拟) 以氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常也称为高温半导体材料。回答下列问题：

1. （1） 基态Ga原子价层电子的电子排布图为；第二周期中，第一电离能介于N和B之间的元素有种。
3. （2） HCN分子中σ键与π键的数目之比为，其中σ键的对称方式为。与CN^-互为等电子体的一种分子为。
5. （3） NaN₃是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子与CO₂互为等电子体，阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF₃的空间构型为。
7. （4） GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因。

   	GaN	GaP	GaAs
   熔点	1700℃	1480℃	1238℃

9. （5） GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为N_A。

   ①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为；

   ②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为 a³cm³ ， GaN晶体的密度为g/cm³（用a、N_A表示）。

   

   图1                        图2