1. (2020·门头沟模拟) 如图所示，虚线O₁O₂是速度选择器的中线，其间匀强磁场的磁感应强度为B₁ ， 匀强电场的场强为E（电场线没有画出）。照相底片与虚线O₁O₂垂直，其右侧偏转磁场的磁感应强度为B₂。现有一个离子沿着虚线O₁O₂向右做匀速运动，穿过照相底片的小孔后在偏转磁场中做半径为R的匀速圆周运动，最后垂直打在照相底片上（不计离子所受重力）。

1. （1） 求该离子沿虚线运动的速度大小v；
3. （2） 求该离子的比荷 ；
5. （3） 如果带电量都为q的两种同位素离子，沿着虚线O₁O₂射入速度选择器，它们在照相底片的落点间距大小为d，求这两种同位素离子的质量差△m。