1. (2020·青浦模拟) 氮化镓( )材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是制造大功率和高频微波电子器件的理想半导体材料。

已知：①Ga和Al同主族且相邻，化学性质与铝相似；②在室温下，氮化镓不溶于水，硬度高，熔点高，能与热的碱溶液缓慢反应。

1. （1） 配平氮化镓制备的化学方程式：□Ga(l)+□NH₃(g)⇌□GaN(s)+□H₂(g)+QkJ(Q＞0)
3. （2） 上述反应的平衡常数表达式K=；在恒温恒容密闭容器中制备氮化镓，下列有关说法正确的是

   

   A．Ⅰ图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可能是加压

   B．Ⅱ图像中纵坐标可以为镓的转化率

   C．Ⅲ图像中纵坐标可以为化学反应速率

   D．Ⅳ图像中纵坐标可以为平衡常数

5. （3） Ga最外层电子的核外电子排布式，N核外能量最高的电子亚层上电子云空间伸展方向有种；
7. （4） 氮化镓的晶体类型，氮化铝和氮化镓晶体类型相同，且结构相似，比较两者熔点的高低并解释原因；
9. （5） 写出氮化镓溶于热的NaOH溶液的离子方程式。