1. (2019高二下·南开期末) 砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

1. （1） 写出基态As 原子的核外电子排布式。
3. （2） 根据元素周期律，原子半径 GaAs（填“>”或“<”，下同），第一电离能 GaAs。
5. （3） AsCl₃ 分子的立体构型为。
7. （4） 锗（Ge）是典型的半导体元素，比较下表中锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因。

   	GeCl4	GeBr4	GeI4
   熔点/℃	−49.5	26	146
   沸点/℃	83.1	186	约 400