1. (2021·昆明模拟) 光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，2020年12月我国自主研发的第一支ArF光刻胶通过产品验证，打破了国外垄断。从A合成某酯类光刻胶I的一种合成路线如图所示，其中 代表的是330弱碱性环氧系阴离子交换树脂。回答下列问题：

已知：①RCH₂CHO+HCHO+R′NHR″→ +H₂O

②RCOCl+R′OH→RCOOR′+HCl

1. （1） A的名称是。
3. （2） D的结构简式为，H中含氧官能团的名称为。
5. （3） 反应⑥的反应类型是。
7. （4） 反应④的化学方程式为。
9. （5） G的分子式为，写出一种满足下列条件G的同分异构体的结构简式(不考虑立体异构)。

   ①含碳碳双键②能发生银镜反应③核磁共振氢谱的峰面积之比为6：1：1

11. （6） 设计以乙烯、 为原料合成 的路线(其它试剂任选)。