1. (2021高二下·舟山期末) 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图甲所示是离子注入工作原理的示意图，静止于 处的离子，经电压为 的加速电场加速后，沿图中圆弧虚线通过半径为 的 圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从 点沿竖直方向进入半径为 的圆形匀强磁场区域该圆形磁场区域的直径 与竖直方向成 ，经磁场偏转，最后打在竖直放置的硅片上。离子的质量为 、电荷量为 ，不计离子重力。求：

1. （1） 离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小 ；
3. （2） 静电分析器通道内虚线处电场强度的大小 ；
5. （3） 若磁场方向垂直纸面向外，离子从磁场边缘上某点出磁场时，速度方向与直径 垂直，求圆形区域内匀强磁场的磁感应强度 的大小；
7. （4） 若在该圆形区域内加如图乙所示交变的磁场（图中 大小未知、方向垂直纸面，且以垂直于纸面向外为正方向），当离子从 时进入圆形磁场区域时，最后从 点飞出，水平向右垂直打在硅片上，请写出磁场变化周期 满足的关系表达式。