1. (2022高二下·福建期中) 第三代半导体中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是核心半导体。它们具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。

1. （1） 基态Ga原子的价电子排布式为。
3. （2） 晶体硅、碳化硅、金刚石三种晶体的熔点由高到低的顺序为。
5. （3） 氮化镓不存在于自然界中，只能通过人工合成来制备，反应为。

   ①GaCl₃熔点为77.9℃，其晶体类型为。GaF₃的熔点为1000℃，则将GaF₃熔化时，被破坏的作用力是。

   ②上述反应涉及的元素中，电负性最小的是(填元素符号，下同)，第一电离能最大的是。