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  • 1. (2022·金华模拟) 在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出一定速度的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器中的匀强电场场强大小为E,方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为 , 宽为。其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔;半径为L的圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,在一条竖直线上,为圆形偏转系统的直径,最低点M到硅片的距离 , 不计离子重力。

    1. (1) 求离子通过速度选择器后的速度大小;
    2. (2) 求磁分析器选择出来的离子的比荷;
    3. (3) 若偏转系统磁感应强度大小的取值范围 , 求硅片上离子注入的宽度。

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