1. (2021高一下·大连期末) 以粗硅(含铁、铝等杂质)为原料，工业上有以下两种制备高纯硅的工艺。已知：SiCl₄沸点57.7℃，遇水强烈水解；SiHCl₃沸点31.5℃，且能与H₂O强烈反应，并在空气中易自燃。

1. （1） 写出制备粗硅的化学反应方程式为。
3. （2） 粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl₃中含有少量SiCl₄和HCl，操作①采用的方法为。
5. （3） 实验室用如下装置制备SiCl₄(反应温度在400℃～500℃)。

   

   ①装置F的作用是。实验开始应先点燃 (填“A”或“D”)装置的酒精灯一段时间后再点燃另一酒精灯。

   ②写出A装置中的化学反应方程式。

7. （4） SiHCl₃与过量H₂制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置已略去)。

   

   装置B中的试剂是(填名称)，装置C中的烧瓶加热的目的是。实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是，装置D中发生反应的化学方程式为。