1. (2022高二下·温州期末) 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，选择出速度为v的离子，然后通过磁分析器Ⅰ，选择出特定比荷的离子，经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外，速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形，矩形长为 ， 宽为2L。其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔，半径为的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外，磁感应强度大小可调的匀强磁场，O为半圆形偏转系统的圆心，D、O、N在一条竖直线上，FG为半圆形偏转系统的下边界，FG与硅片平行，O到硅片N的距离 ， 不计离子重力及离子间的相互作用，求：

1. （1） 速度选择器中的匀强电场场强E的大小；
3. （2） 求磁分析器选择出来的离子的比荷﹔
5. （3） 若偏转系统磁感应强度大小的取值范围 ， 求硅片上离子注入的宽度。