1. (2021·西宁模拟) 氮化镓(CaN)、碳化硅(SiC)是第三代半导体材料。

1. （1） 基态Ga原子的核外电子排布式为。Ga、N和O的第一电离能由小到大的顺序为。
3. （2） GaCl₃的熔点为77.9℃，气体在270℃左右以二聚物存在，CaF₃的熔点为1000℃；GaCl₃的熔点低于GaF₃的原因为。
5. （3） GaCl₃·xNH₃(x=3，4，5，6)是一系列化合物，向含1molGaCl₃·xNH₃的溶液中加入足量AgNO₃溶液，有难溶于稀硝酸的白色沉淀生成；过滤后，充分加热滤液，有4mol氨气逸出，且又有上述沉淀生成，两次沉淀的物质的量之比为1：2。

   ①NH₃的VSEPR模型名称为。

   ②能准确表示GaCl₃·xNH₃结构的化学式为。

7. （4） 与镓同主族的硼(B)具有缺电子性，硼砂(四硼酸钠Na₂B₄O₇·10H₂O)中B₄O是由两个H₃BO₃和两个[B(OH)₄]^-缩合而成的双六元环，应写成[B₄O₅(OH)₄]^2-的形式，结构如下图所示，则该离子中存在的作用力含有(填序号)，B原子的杂化方式为。

   

   A．离子键   B．极性键   C．氢键   D．范德华力   E.配位键

9. （5） 氮化镓的晶胞如图所示，Ga原子与N原子半径分别为apm和bpm，阿伏加德罗常数的值为N_A ， 晶胞密度为cg/cm³ ， 则该晶胞的空间利用率为(已知空间利用率为晶胞内原子体积占晶胞体积的百分比)。