如图所示，水平的平行虚线间距为d，其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框边长为，质量为m，电阻为R。开始时线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h。将线框由静止释放，其下边缘刚进入磁场时，线框的加速度恰好为零，则线框进入磁场的过程

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1. (2022高二下·桂林期末) 如图所示，水平的平行虚线间距为d，其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框边长为 $\text{[math]}$ ，质量为m，电阻为R。开始时线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h。将线框由静止释放，其下边缘刚进入磁场时，线框的加速度恰好为零，则线框进入磁场的过程和穿出磁场的过程相比较，有（）

A . 产生的感应电流的方向相同 B . 所受的安培力的方向相反 C . 进入磁场的过程中产生的热量大于穿出磁场的过程中产生的热量 D . 进入磁场过程中所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间

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广西桂林市2021-2022学年高二下学期物理期末考试试卷