离子注入是芯片制造的一道重要工序，图为某离子注入示意图，纸面内，一束质量、电荷量的静止负离子（不计重力），经加速电场后，沿水平虚线PQ通过速度选择器，从y轴上Q（0，1m）点垂直y轴射入xOy坐标系，经磁场、电场偏转后射到x轴上，从而实现

1. (2022高二下·成都期末) 离子注入是芯片制造的一道重要工序，图为某离子注入示意图，纸面内，一束质量 $\text{[math]}$ 、电荷量 $\text{[math]}$ 的静止负离子（不计重力），经加速电场后，沿水平虚线PQ通过速度选择器，从y轴上Q（0，1m）点垂直y轴射入xOy坐标系，经磁场、电场偏转后射到x轴上，从而实现离子注入。速度选择器中，匀强磁场的方向垂直纸面向里，磁感应强度 $\text{[math]}$ ，匀强电场的方向沿y轴负方向，场强 $\text{[math]}$ 。xOy坐标系内有一边界线AO， $\text{[math]}$ 区域有某一来知范围的匀强磁场（方向垂直纸面向里，磁感应强度为 $\text{[math]}$ ），AOx区城有沿x轴负方向的匀强电场， $\text{[math]}$
1. （1）求加速电场的电压U；
3. （2）若离子在AOy区域内始终在矩形磁场中运动，且 $\text{[math]}$ ，求矩形磁场区域的最小面积；
5. （3）若 $\text{[math]}$ 大小可调且充满整个 $\text{[math]}$ 区域，为了使离子都能打到x轴上，则调整后的磁感应强度大小 $\text{[math]}$ 应满足什么条件？

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