1. (2022高二下·西城期末) 砷化铟(InAs)是一种优良的半导体化合物，有广泛用途。

1. （1） 基态In的价层电子排布式为5s²5p¹ ， In在周期表中的位置是。
3. （2） 在Ar保护下分别将InCl₃和AsCl₃在气化室中加热转化为蒸气，在反应室中混合反应，即可得到橘黄色的InAs晶体。

   已知：AsCl₃和InCl₃均为分子晶体，AsCl₃气化室的温度为130℃，InCl₃气化室的温度为500℃。

   ①AsCl₃分子的空间结构为，中心原子As的杂化轨道类型为。

   ②AsCl₃气化室温度低于InCl₃气化室温度的原因是。

   ③InCl₃晶体中分子间存在配位键，配位原子是。

5. （3） InAs为原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体。其晶胞结构如图所示。

   

   ①一个晶胞中所含As的个数为。

   ②已知该晶胞棱长为apm(1pm=1×10^-10cm)，阿伏加德罗常数为N_A ， InAs的摩尔质量为Mg•mol^-1 ， 则该晶体的密度ρ=g•cm^-3。