在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子，经电压为的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里、有一定宽度的平行双边界匀强磁场区城，如图所示，已知离子在磁场中转过后从磁场右边界射出。已知磷离子质量为，带电量为

1. (2022·广东模拟) 在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子 $\text{[math]}$ ，经电压为 $\text{[math]}$ 的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ 、方向垂直纸面向里、有一定宽度的平行双边界匀强磁场区城，如图所示，已知离子 $\text{[math]}$ 在磁场中转过 $\text{[math]}$ 后从磁场右边界射出。已知磷离子 $\text{[math]}$ 质量为 $\text{[math]}$ ，带电量为 $\text{[math]}$ ，忽略重力影响，求：
1. （1）磷离子 $\text{[math]}$ 进入磁场的速度大小 $\text{[math]}$ ；
3. （2）磁场宽度 $\text{[math]}$ 。

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