1. (2022高三上·贵阳开学考) 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。离子注入工作原理的示意图如图所示。静止于A处的离子，经电压为的加速电场加速后，沿图中半径为的虚线通过圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从点沿直径方向进入半径也为的圆柱形、方向垂直于纸面向外的匀强磁场区域，离子经磁场偏转，最后打在竖直放置的硅片上的M 点（图中未画出）时，其速度方向与硅片所成锐角为60^°。已知离子的质量为 ， 电荷量为 ， 不计重力。求：

1. （1） 离子进入圆形匀强磁场区域时的速度v₀和静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E；
3. （2） 匀强磁场的磁感应强度的大小。