1. (2022高三上·广东开学考) 光刻机是半导体行业中重中之重的利器，我国上海微电子装备公司（SMEE）在这一领域的技术近年取得了突破性进展。电子束光刻技术原理简化如图所示，电子枪发射的电子经过成型孔后形成电子束，通过束偏移器后对光刻胶进行曝光。某型号光刻机的束偏移器长L=0.04m，间距也为L，两极间有扫描电压，其轴线垂直晶圆上某芯片表面并过中心O点，芯片到束偏移器下端的距离为。若进入束偏移器时电子束形成的电流大小为 ， 单个电子的初动能为E_k0=1.6×10^-14J，不计电子重力及电子间的相互作用力，忽略其他因素的影响，电子到达芯片即被吸收。

1. （1） 若扫描电压为零，电子束在束偏移器中做何种运动？电子束到达芯片时的落点位置？
3. （2） 若扫描电压为零，且It=Ne（N为电子个数），求O点每秒接收的能量E?（e=1.6×10^-19C）
5. （3） 若某时刻扫描电压为15kV，则电子束到达芯片时的位置离O点的距离为多少？