Ge、GaAs、CdTe、CdSe等均为重要的半导体材料，在电子、材料等领域应用广泛。其中CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示，已知原子坐标参数A为( ，， )。下列说法错误的是（）

1. (2022高三上·浙江月考) Ge、GaAs、CdTe、CdSe等均为重要的半导体材料，在电子、材料等领域应用广泛。其中CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示，已知原子坐标参数A为( $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ )。下列说法错误的是（）

A . Se基态原子价电子排布式为3d¹⁰4s²4p⁴ B . 原子坐标参数B为( $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ ) C . 晶胞中，与Cd原子距离最近且相等的Cd原子有12个 D . 第四周期主族元素中第一电离能介于Ga、As之间的有3种

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1. (2022高三上·浙江月考) Ge、GaAs、CdTe、CdSe等均为重要的半导体材料，在电子、材料等领域应用广泛。其中CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示，已知原子坐标参数A为( ， ， )。下列说法错误的是（ ）