如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子经电压为U的电场加速后，垂直进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里，离子的质量为m，元电荷为e。则离子在磁场中转过

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1. (2023高二上·大同期末) 如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子 $\text{[math]}$ 经电压为U的电场加速后，垂直进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ 、方向垂直纸面向里，离子 $\text{[math]}$ 的质量为m，元电荷为e。则离子 $\text{[math]}$ 在磁场中转过的角度为（）

A . $\text{[math]}$ B . 60° C . 37° D . $\text{[math]}$

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山西省大同市临汾市2022-2023学年高二上学期物理期末试卷