如图，竖直虚线边界的左侧有一场强为、向左的匀强电场。虚线边界与平行，两者之间存在着宽为L，电场强度为、向下的匀强电场。在右侧相距为L处，有一与平行的屏。质量为m、电荷量为e的电子从电场中的A点无初速度释放，A点到距离为，电子从边界某

1. (2023高二上·新化期末) 如图，竖直虚线边界 $\text{[math]}$ 的左侧有一场强为 $\text{[math]}$ 、向左的匀强电场。虚线边界 $\text{[math]}$ 与 $\text{[math]}$ 平行，两者之间存在着宽为L，电场强度为 $\text{[math]}$ 、向下的匀强电场。在 $\text{[math]}$ 右侧相距为L处，有一与 $\text{[math]}$ 平行的屏。质量为m、电荷量为e的电子从电场 $\text{[math]}$ 中的A点无初速度释放，A点到 $\text{[math]}$ 距离为 $\text{[math]}$ ，电子从边界 $\text{[math]}$ 某点飞出，最后打在右侧的屏上。 $\text{[math]}$ 连线与屏垂直，垂足为O，不计电子所受重力，求：
1. （1）电子从释放到打到屏上所用的时间；
3. （2）电子打到屏上的位置离O点的距离。

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