1. (2023高二上·太原期末) 如图为半导体离子注入工艺原理示意图。初速度为0的离子P³⁺（质量为m、带电量为），经电压为U的电场加速后，垂直磁场边界进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，并注入半导体工件内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里，求：

1. （1） 离子P³⁺进入磁场时速度的大小；
3. （2） 离子P³⁺在磁场中偏转的角度与偏转的距离。