利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒子的宽度，人们把此原理运用到薄膜材料制备上，使芯片技术得到飞速发展。如图，宽度为的带正电粒子流水平向右射入半径为的圆形匀强磁场区域，磁感应强度大小为，这些带电粒子都将从磁场圆上O点进入正方形区

1. (2023·山东模拟) 利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒子的宽度，人们把此原理运用到薄膜材料制备上，使芯片技术得到飞速发展。如图，宽度为 $\text{[math]}$ 的带正电粒子流水平向右射入半径为 $\text{[math]}$ 的圆形匀强磁场区域，磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ ，这些带电粒子都将从磁场圆上O点进入正方形区域，正方形过O点的一边与半径为 $\text{[math]}$ 的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面积最小的匀强磁场区域，使汇聚到O点的粒子经过该磁场区域后宽度变为 $\text{[math]}$ ，且粒子仍沿水平向右射出，不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力，下列说法正确的是（　　）

A . 正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ ，方向垂直纸面向里 B . 正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ ，方向垂直纸面向里 C . 正方形区域中匀强磁场的最小面积为 $\text{[math]}$ D . 正方形区域中匀强磁场的最小面积为 $\text{[math]}$

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