1. (2023高二下·广西月考) 在半导体芯片制造过程中，通过注入离子改变材料的导电性能，它是芯片制造中一道重要的工序。为了精准注入离子，需要在有限的特定空间内加以电磁场，对离子的运动进行调控。如图为其中一个模型，一边长为0.64m的正方形abcd内存在一垂直纸面的匀强磁场，在正方形的正中心有一离子发射源，可向纸面内任何方向发射初速度为 ， 比荷为的正离子，改变磁场的大小和方向，可使离子到达相应的位置。关于离子在磁场中的运动说法正确的是（    ）

  

A . 为使这些正离子都不能穿出该磁场，则该磁场的磁感应强度 B . 为使这些正离子都不能穿出该磁场，则该磁场的磁感应强度 C . 若磁感应强度为 ， 离子在磁场运动的最短时间为 D . 若磁感应强度垂直纸面向里且大小为 ， bc边有离子射出的宽度为0.24m