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  • 1. (2024高二上·番禺期末) 在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。2023年6月从中国电子科技集团有限公司获悉,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(简称电科装备)已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖,有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。如图所示是离子注入简化工作原理的示意图。静止于A处的离子,经电压为U的加速电场加速后,沿图中半径为R的虚线通过圆弧形静电分析器(静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场)后,从P点沿竖直方向进入半径为r的圆形匀强磁场区域,磁场方向垂直于纸面向外。该圆形磁场区域的直径PQ与竖直方向夹角为15°,经磁场偏转,离子最后垂直打在竖直放置的硅片上。已知离子的质量为m、电荷量为q,不计重力。求:

    1. (1) 离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小;
    2. (2) 静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E;
    3. (3) 匀强磁场的磁感应强度B的大小。

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