1. (2023高二上·湛江月考) 在芯片制造过程中，离子注入是芯片制造重要的工序。图甲是我国自主研发的离子注入机，图乙是简化的注入过程原理图。静止于A处的离子，经电压为U的电场加速后，沿图中半径为R的圆弧虚线通过磁分析器，然后从M点垂直CD进入矩形CDQS区域内的有界匀强电场中，最后恰好打在Q点。已知磁分析器截面是四分之一圆环，内部为匀强磁场，方向垂直纸面向里；矩形CDQS区域内匀强电场方向水平向左，DQ=d，MD=2d。整个装置处于真空中，离子的质量为m、电荷量为q，重力不计。求：

甲                                                乙

1. （1） 离子进入匀强电场区域M点时的速度大小v及磁分析器通道内磁感应强度大小B；
3. （2） 矩形CDQS区域内匀强电场的场强大小E。