在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长的立方体，以O为坐标原点，沿OA、和OD方向分别建立x、y、z轴

1. (2024高三上·长沙期末) 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长 $\text{[math]}$ 的立方体 $\text{[math]}$ ，以O为坐标原点，沿OA、 $\text{[math]}$ 和OD方向分别建立x、y、z轴。在OACD面的中心M处存在一粒子发射源，可在底面内平行于底面沿任意方向发射初速度 $\text{[math]}$ ，比荷 $\text{[math]}$ 的带正电粒子。在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场，使粒子可以达到相应的空间位置。不计重力，则：
1. （1）在立方体内施加沿y轴正向的匀强电场，使粒子只能从 $\text{[math]}$ 面飞出，求施加电场的电场强度E的最小值；
3. （2）在立方体内施加沿y轴正向的匀强磁场，若磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ ，求粒子在磁场中运动时间的最小值 $\text{[math]}$ 和最大值 $\text{[math]}$ ；（sin53°=0.8，cos53°=0.6）
5. （3）在第（2）问的基础上再加上沿y轴正向的匀强电场，电场强度为 $\text{[math]}$ 。判断第（2）问中最小时间和最大时间所对应的粒子能否从 $\text{[math]}$ 面飞出？若粒子不能从 $\text{[math]}$ 面飞出，请写出这些粒子从yOz平面飞出立方体区域时的空间坐标 $\text{[math]}$ 。（结果保留2位小数）

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