①阴影部分元素最容易与氢气化合的是(填元素符号)。
②H3AsO4、H2SeO4的酸性强弱:H3AsO4H2SeO4(填“><”或“=”)
②镓(31Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。下列说法正确的是(填序号)。
A.原子半径:Ga>N B.N的非金属性比O强
C.Ga的金属性比Al弱 D.As和Sb的氧化物可能是两性氧化物
A最高正化合价Cl>C
B.Cl的氢化物比C的简单氢化物稳定
C.Cl的氢化物比C的简单氢化物沸点高
D.最高价氧化物对应的水化物的酸性:HClO4>H2CO3