1. (2024·南宁二模) GaN是制造微电子器件，光电子器件的新型半导体材料。综合利用炼锌矿渣{主要含铁酸镓[]、铁酸锌()，还含少量Fe及一些难溶于酸的物质}获得金属盐，并进一步利用镓盐制备具有优异光电性能的氮化镓(GaN)，部分工艺流程如图。

已知：①在酸性条件下不稳定，易转化为。

②常温下，“浸出液”中的金属离子对应的氢氧化物的溶度积常数如下表，离子浓度小于时可视为沉淀完全。

氢氧化物

③ ， 。

回答下列问题：

1. （1） 为提高浸出率，可采取的措施为(填标号)。

   a．将矿渣粉碎     b．降低温度      c．把稀硫酸换成浓硫酸      d．延长浸出时间

3. （2） 已知纤锌矿结构的GaN晶胞结构与金刚石结构类似，则该种GaN晶体的类型为，基态Ga原子价层电子的轨道表示式为。
5. （3） 与稀硫酸反应的化学方程式为。
7. （4） “调pH”时需调节溶液pH的最小值为。
9. （5） 检验“滤液1”中是否含有的试剂为(填名称)。
11. （6） 电解反萃取液(溶质为)制粗镓的装置如图所示，阳极的电极反应式为，电解废液经处理后可循环使用，其主要溶质为(填化学式)。

    

13. （7） 采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)技术制备GaN时，反应会产生一种标准状况下密度约为的可燃性气体，写出该反应的化学方程式：(不写条件)。