1. (2017高二下·晋中期末) 在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P⁺和P³⁺ ， 经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P⁺在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P⁺和P³⁺（   ）

A . 在电场中的加速度之比为1：1 B . 在磁场中运动的半径之比为 ：1 C . 在磁场中转过的角度之比为1：2 D . 离开电场区域时的动能之比为1：3