1. (2018·齐齐哈尔模拟) 砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

1. （1） Ga基态原子核外电子排布式为，As基态原子核外有个未成对电子。
3. （2） Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是。
5. （3） 比较下列镓的卤化物的熔点和佛点，分析其变化规律及原因：。

   镓的卤化物	GaI3	GaBr3	GaCl3
   熔点/℃	77.75	122.3	211.5
   沸点/℃	201.2	279	346

   GaF₃的熔点超过1000 ℃，可能的原因是。

7. （4） 二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为。

    
   

9. （5） 砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为g/ cm³(设N_A为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。