氮化镓材料属于第三代半导体，在光电子、高温大功率器件和高温微波器件应用方面有着广阔的前景。MOCVD法是制备氮化镓的方法之一，通常以Ga(CH3)3作为镓源，NH3作为氮源，在一定条件下反应制取氮化镓。下列相关说法错误的是（

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1. (2018高二上·烟台期中) 氮化镓材料属于第三代半导体，在光电子、高温大功率器件和高温微波器件应用方面有着广阔的前景。MOCVD法是制备氮化镓的方法之一，通常以Ga(CH₃)₃作为镓源，NH₃作为氮源，在一定条件下反应制取氮化镓。下列相关说法错误的是（）

A . 氮化镓的化学式为GaN B . 该反应除生成氮化镓外，还生成CH₄ C . Ga(CH₃)₃是共价化合物 D . 镓位于元素周期表第四周期第ⅡA族

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山东省烟台市2017-2018学年高二上学期化学期中考试试卷