1. (2019高三上·烟台期末) 以硅石(主要成分SiO₂)为起始原料生产高纯多晶硅的简化工艺流程如下图所示：

1. （1） 在电弧炉中，生成粗硅的化学方程式为，该反应氧化剂与还原剂物质的量之比为。
3. （2） 合成炉中有关反应的数据如下表所示：

   	热化学方程式	平衡常数
   主反应	Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)   △H=-210kJ/mol	K1
   副反应	Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)   △H=-241kJ/mol	K2

   ①主反应的温度需严格控制在280～300℃之间，若温度过低，则；若温度太高，SiHCl₃则会转化生成SiCl₄ ， 该转化的热化学方程式为。

   ②平衡时， 的值a随着 的值b的变化而变化，则 =(用含K₁、K₂的代数式表示)。工业上用H₂适当稀释HCl来提高 的值，请用平衡移动原理加以解释。

5. （3） 还原炉中的主要反应为SiHCl₃(g)+H₂(g)=Si(s)+3HCl(g) △H>0。实验室中在1.0L密闭容器中研究得到SiHCl₃的转化率在不同温度条件下随n(H₂)/(SiHCl₃)变化的曲线如图所示。t₁、t₂、t₃表示的温度高低顺序为；t₁温度时平衡常数K_a=(保留两位小数)。