1. (2016·新课标Ⅲ卷) 【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：

1. （1） 写出基态As原子的核外电子排布式．

3. （2） 根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”）

5. （3） AsCl₃分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为．

7. （4） GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是．

9. （5）

   GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm^﹣3 ， 其晶胞结构如图所示．
   

   该晶体的类型为，Ga与As以键键合．Ga和As的摩尔质量分别为M_Ga g•mol^﹣1和M_As g•mol^﹣1 ， 原子半径分别为r_Ga pm和r_As pm，阿伏加德罗常数值为N_A ， 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为．