1. (2016·临沂模拟)

C•S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现，当受到应力作用时电阻率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”．压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号，半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门．某兴趣小组在研究某长薄板电阻R_x的压阻效应时，找到了如图所示器材（已知R_x的阻值变化范围大约为几欧到几十欧）：

A．电源E（3V，内阻约为1Ω）

B．电流表A₁（0.6A，内阻r₁=5Ω）

C．电流表A₂（0.6A，内阻r₂约为1Ω）

D．开关S，定值电阻R₀

1. （1） 为了比较准确地测量电阻R_x的阻值，请根据所给器材画出合理的实物连接图（部分导线已画出，电表A₁、A₂已标出）；

3. （2） 在电阻R_x上加一个竖直向下的力F时，闭合开关S，A₁的示数为I₁ ， A₂的示数为I₂ ， 则R_x=（用字母表示）；

5. （3） R_x与压力F的关系如图l所示，某次测量时电表A₁、A₂的示数分别如图2、图3所示，则这时加在薄板电阻R_x上的压力为 N．