线圈ab、cd绕在同一软铁芯上,如图甲所示,在ab线圈中通以如图乙所示的电流(电流从a流入为正),已知线圈内部的磁场与流经线圈的电流成正比,则下列描述线圈以中感应电动势Ucd随时间变化关系的图中,正确的是( )
如图所示,边长为L的金属框abcd放置在匀强磁场中,磁感应强度大小为B,方向平行于ab边向上,当金属框绕ab边以角速度ω逆时针转动时,a、b、c、d四点的电势分别为φa、φb、φc、φd . 下列判断正确的是( )
如图所示,在x轴上方存在垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感应强度为B.原点O处存在一粒子源,能同时发射大量质量为m、电荷量为q的带正电粒子(重力不计),速度方向均在xOy平面内,与x轴正方向的夹角θ在0~180°范围内.则下列说法正确的是( )
如图所示,竖直放置在水平面上的圆筒,从圆筒上边缘等高处同一位置分别紧贴内壁和外壁以相同速率向相反方向水平发射两个相同小球,直至小球落地,不计空气阻力和所有摩擦,以下说法正确的是( )
一电子在电场中仅受静电力作用,从A到B做初速度为零的直线运动,其电势能Ep随距A点的距离x的关系如图所示,以下说法正确的是( )
一个质点在外力作用下做直线运动,其速度v随时间t变化的图像如图所示.用F表示质点所受的合外力,x表示质点的位移,如图所示四个选项中可能正确的是( )
某同学利用打点计时器做实验时,发现实验数据误差很大,怀疑电源的频率不是50Hz,采用如图甲所示的实验装置来测量电源的频率.已知砝码及砝码盘的质量为m=0.1kg,小车的质量为M=0.4kg,不计摩擦阻力,g取10m/s2 . 图乙为某次记录小车运动情况的纸带,图中A、B、C、D、E为相邻的计数点,已知相邻的计数点之间还有三个点未画出.
C•S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现,当受到应力作用时电阻率发生变化.这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”.压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器,把力学量转换成电信号,半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门.某兴趣小组在研究某长薄板电阻Rx的压阻效应时,找到了如图所示器材(已知Rx的阻值变化范围大约为几欧到几十欧):
A.电源E(3V,内阻约为1Ω)
B.电流表A1(0.6A,内阻r1=5Ω)
C.电流表A2(0.6A,内阻r2约为1Ω)
D.开关S,定值电阻R0
如图所示,质量为1kg物块自高台上A点以4m/s的速度水平抛出后,刚好在B点沿切线方向进入半径为0.5m的光滑圆弧轨道运动.到达圆弧轨道最底端C点后沿粗糙的水平面运动4.3m到达D点停下来,已知OB与水平面的夹角θ=53°,g=10m/s2(sin53°=0.8,cos53°=0.6).求:
如图甲所示,在直角坐标系0≤x≤L区域内有沿y轴正方向的匀强电场,右侧有一个以点(3L,0)为中心、边长为2L的正方形区域,其边界ab与x轴平行,正方形区域与x轴的交点分别为M、N.在该正方形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场,现有一质量为m,带电量为e的电子,从y轴上的A点以速度v0沿x轴正方向射入电场,飞出电场后从M点以与x轴夹角为30°的方向进入正方形区域,并恰好从d点射出.
如图所示,竖直放置的气缸,活塞横截面积为S=0.01m2 , 厚度不计.可在气缸内无摩擦滑动.气缸侧壁有一个小孔,与装有水银的U形玻璃管相通.气缸内封闭了一段高为L=50cm的气柱(U形管内的气体体积不计).此时缸内气体温度为27℃,U形管内水银面高度差hl=5cm.已知大气压强p0=1.0×105Pa,水银的密度ρ=13.6×103kg/m3 , 重力加速度g取10m/s2 .
①求活塞的质量m;
②若在活塞上缓慢添加M=26.7kg的沙粒时,活塞下降到距气缸底部H=45cm处,求此时气缸内气体的温度.
如图所示,横截面为半圆形玻璃砖,O点为圆心,OO′为直径PQ的垂线.已知玻璃砖的折射率n= ,光在真空中的速度为c.则光线在该玻璃砖中的传播速度为;一条与OO′连线成60°角的光线从玻璃砖的圆心射入玻璃砖,则光线从玻璃砖出射方向与最初入射方向的夹角为.
如图所示为一列简谐横波沿﹣x方向传播在t=0时刻的波形图,M、N两点的坐标分别为(﹣2,0)和(﹣7,0),已知t=0.5s时,M点第二次出现波峰.
①这列波的传播速度多大?
②从t=0时刻起,经过多长时间N点第一次出现波峰?
③当N点第一次出现波峰时,M点通过的路程为多少?
如图所示,质量均为2m的两滑块A、B静止在光滑水平面上,其长度均为L质量为m的子弹以水平向右的速度v0射入木块A,子弹穿出A后又水平射入木块B而未穿出,此后B与A之间的距离保持不变,已知滑块对子弹的阻力恒定,求:
①子弹穿出A时的速度:
②子弹穿过A的过程中滑块A的位移.