1. (2021·汕头模拟) 光刻胶是微电子技术中芯片微细图形加工的关键材料之一，其国产化势在必行。根据显影原理，光刻胶可分为正、负型胶，原理如图1.回答下列问题：

1. （1） 光刻胶常含C、N等元素，在基态C原子中，核外存在对自旋方向相反的电子，N的3个2p轨道的取向为。
3. （2） 近年来光刻胶的发展趋势是应用含有多羟基的二苯甲酮类化合物，如： ，其C的杂化方式为。
5. （3） 紫外负型光刻胶常含有—N₃ ， 形成的阴离子 的等电子体是(填化学式，任写一种)，其空间构型为。
7. （4） 某光刻胶受紫外光照射后，发生反应如下，用稀碱水作为溶剂浸泡。根据茚羧酸结构分析该材料为型光刻胶(填“正”或“负”)，理由是。

   

9. （5） 与K⁺能形成图2中的超分子加合物，该晶胞中K⁺的数目为，已知晶胞参数为αnm，阿伏加德罗常数的值为N_A ， 则该晶胞的密度为g/cm³(列出计算表达式)。