1. (2021·吴忠模拟) 氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。

1. （1） 基态N原子的电子排布式为；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为。
3. （2） GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因。

   晶体	GaN	GaP	GaAs
   熔点/℃	1700	1480	1238

5. （3） GaN可在高温下由金属Ga和NH₃反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒，如：NH₃、NH 、NH 、N₂H₄、N₂H 、N₂H 等。在N₂H 中，N原子的杂化方式为。与N₂H 互为等电子体的物质是(写出一种)；在N₂H 中存在的化学键类型有。

   a．极性键     b．非极性键     c．离子键      d.配位键

7. （4） GaN的晶胞结构如图所示：其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为；若GaN晶体的密度为6.1 g/cm³ ， 阿伏加德罗常数为N_A ， 则距离最近的两个N原子间的距离为nm(写出表达式即可)。