陈星弼：心有大我至诚报国
半导体功率器件，是电能/功率处理的核心器件，更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁，在“中国制造”向“中国智造”转型过程中，在民族电子信息产业发展中发挥着重要作用。陈星弼院士为此付出了数十年的心血与智慧，直到生命最后一刻，仍念兹在兹。
2019年12月4日，这位被称作中国半导体功率器件领路人的科学家在成都去世，享年89岁。那条他常去实验室的路上，铺满了金黄的银杏叶，仿佛在怀念这位中国学人辉煌的科研人生，也似乎还在倾听他对我国功率器件取得进一步突破的梦想。
“集成电路为电子信息时代奠定了基础，就像造房子一样。网络、云等都是重要的，但基石是微电子。”陈星弼在接受记者采访时这样介绍自己的研究，“关于电子信息的发展，有两个重要的问题：一个是如何发现新的发电方法，比如太阳能电池；另一个是如何节省电能，我们所做的工作就是节省电能。
他想，人们希望功率器件耐压很高，接通时电阻很小，但它却有硅极限。如何实现突破呢？
陈星弼研究了很多终端技术理论，逐渐形成了表面耐压层结构的想法。他不分白天黑夜，泡在实验室里，甚至自己出钱租设备，助手唐茂成和叶星宁协助他到沈阳电子部47所投片。经过多次试验，陈星粥和他的研究小组终于通过改变功率管的结构，实现了复合缓冲耐压结构(现称为超结器件)。
超结器件导通电阻低，易驱动，速度快，引起学术界和企业界很大反响，被称作“功率器件的新里程碑”。
这一发明的相关专利在全世界范围内已被引用超过550次，所产生的经济效益非常明显，英飞凌、意法半导体、仙童、东芝等公司都投入生产。根据法国半导体领城的一家市场调查公司的调查结果，超结功率器件将以10.3％的年复合增长率迅速增长。而超结MOS器件的应用也非常广泛，包括电脑电源、照明电源、液晶电视、光伏逆变器，以及医疗、电信、工业等多类电源都有它的“身影”。
加拿大科学院院士、前院长、中国科学院外籍院士Jamal教授说：“事实上，在功率器件领域，他(陈星弼)曾通过出色的研究工作单枪匹马让中国的研究进入国际学术舞台。与我们现在的科研条件相比，他是在资源极其有限的情况下实现这一巨大成就的。
然而，陈星弼对超结器件仍不满意，耿耿于怀的是它的缺陷。2000年后，他又发明了高K电介质耐压结构、高速IGBT、载流子导电的器件等，这使我国高压(功率)集成电路在一个新的、更先进的起点上起飞。
“只有科学和教育发展了，国家才能振兴。没有科学教育，国家就会落后，落后就要挨打。”这样的感悟与陈星弼刻骨铭心的经历密切相关。1937年，战争阴云密布，不到7岁的陈星弼跟随父母离开上海，在连天的炮火中，踏上向西的逃难之路。大学毕业分配填写志愿表时，他真诚地表示要“到东北去、到西北去、到最艰苦的地方去”。
陈星弼院士的一生，“心有大我、至诚报国”，也激励着广大科研工作者开拓创新，解决关键技术“卡脖子”问题，将科研人生融入实现中华民族伟大复兴中国梦的历史洪流中。
(摘编自2020年3月2日《光明日报》)
