1. (2021高三上·浙江开学考) 在芯片制作过程中，涉及硅粉在磁场中的偏转和吸收，情景可以简化为如下：如图（1）所示：在 圆形区域 中有垂直于该平面的匀强磁场，磁感应强度为B，硅粉可视为质量为m，带电量为 的带电粒子，硅粉从静止开始经U的加速电压加速以后从 边界的中点C垂直OA边界进入磁场，经过磁场作用以后恰好从 边界的中点D垂直 边界离开磁场·忽略硅粉的重力和硅粉之间的相互作用力。

1. （1） 求圆形区域 磁场的半径R。
3. （2） 如图（2）所示：如果同时有N（N很大）个硅粉在C点上下 的范围内均垂直 方向入射，并且如图建立 坐标系，在 边界下方 处有一个平行r轴的无限长接受屏 。硅粉碰到接受屏后完全吸收不反弹。

   ①求所有硅粉通过x轴时，有硅粉通过区间的x值范围；

   ②如果这N个硅粉经过的场偏转后通过x轴时空间上沿x轴均匀分布，求足够长时间后接受屏 受到的所有硅粉的总冲量。