1. (2021·宜宾模拟) 硅芯片的使用减小了电子产品的体积和质量，加快了计算速率。

1. （1） 工业上用SiO₂与碳反应制粗硅的反应为：SiO₂(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g) ΔH。

   已知：2C(s)+O₂(g)=2CO(g) ΔH₁=-221kJ·mol^-1

   Si(s)+O₂(g)=SiO₂(s) ΔH₂=-911kJ·mol^-1

   则ΔH=。制备粗硅的反应能自发进行的条件是(填“高温”、“低温”或“任意温度”)。

3. （2） 由SiO₂生成Si的部分反应机理如下：

   反应1：SiO₂(s)+C(s) SiO(g)+CO(g)

   反应2：SiO(g)+2C(s) SiC(s)+CO(g)

   反应3：……

   在压强为10MPa条件下，测得反应平衡体系中SiO(g)和CO(g)的分压比 随温度的变化关系如图所示。

   

   假设体系中只有SiO和CO为气体，则在1500℃时，用各物质的平衡分压表示反应1的平衡常数K_p=MPa²(列出计算式即可)。

5. （3） 硅烷法制备多晶硅的核心反应为：2SiHCl₃(g) SiH₂Cl₂(g)+SiCl₄(g)。在恒容密闭容器中加入一定量的SiHCl₃ ， 分别在50℃和70℃进行反应，测得SiHCl₃的转化率随时间的变化关系如图所示。

   

   已知：50℃时，平衡常数为0.02；70℃时，平衡常数为0.04。

   ①代表温度为70℃的曲线是(填“M”或“N”)。

   ②a点和b点对应的容器中， _正(a)  _正(b)(填“＞”、“＜”或“=”)，理由是。

   ③曲线M对应的SiHCl₃平衡转化率为。(保留两位有效数字)

   ④已知：该反应的速率 _正=k_正•x²(SiHCl₃)， _逆=k_逆•x(SiH₂Cl₂)•x(SiCl₄)，k_正、k_逆分别为正、逆反应速率常数，x为物质的量分数，且平衡常数K= 。则b点时的 =。