1. (2022·开封模拟) 新型半导体材料GaN、SiC主要应用于功率半导体、射频和光电器件领域。

1. （1） N、Si、Ga三种元素的基态原子中，第一电离能由大到小的顺序是，其中未成对电子数最少原子的外围电子排布式为，该元素位于周期表的区。
3. （2） 制备GaN的工艺中用到GaCl₃。GaCl₃分子的空间构型为，其中Ga的杂化方式为；GaCl₃的熔点为77.9℃，GaN的熔点为1700℃，二者熔点差异的原因是。
5. （3） GaN的一种六方晶胞如图所示，品胞参数为anm、cnm。晶体中N原子的配位数为；晶体密度ρ=g·cm^-3(设阿伏加德罗常数的值为N_A ， 用含a、c、N_A的代数式表示)。