1. (2022·石家庄模拟) 新型半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等在国防技术、航空航天及5G技术等领域扮演着重要的角色。回答下列问题：

1. （1） 基态Si原子中，核外电子占据的最高能层的符号为，占据最高能级的电子的电子云轮廓图形状为；基态Ga原子的核外电子排布为[Ar]3d¹⁰4s²p¹ ， 其转化为下列激发态时，吸收能量最少的是(填选项字母)。

   A．[Ar] B．[Ar]

   C．[Ar] D．[Ar]

3. （2） C与Si是同主族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Si原子之间难以形成双键、叁键。从原子结构分析，其原因为。
5. （3） 硼(B)与Ga是同主族元素，硼氢化钠(NaBH₄)是有机合成中重要的还原剂，其阴离子BH的立体构型为；另一种含硼阴离子的结构如图所示，其中B原子的杂化方式为。

   

7. （4） GaCl₃的熔点为77.9℃，GaF₃的熔点为1000℃，试分析GaCl₃熔点低于GaF₃的原因为；气态GaCl₃常以二聚体形式存在，二聚体中各原子均满足8e^-结构，据此写出二聚体的结构式为。
9. （5） B和Mg形成的化合物刷新了金属化合物超导温度的最高记录。该化合物的晶体结构单元如图所示，其中Mg原子间形成正六棱柱，6个B原子分别位于六个三棱柱体心。则该化合物的化学式可表示为；相邻B原子与Mg原子间的最短距离为nm(用含x、y的代数式表示)。