1. (2021高二上·乐山期中) 砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

1. （1） GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是。
3. （2） GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm^-3 ， 其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为，Ga与As以键键合。Ga和As的摩尔质量分别为M_Gag·mol^-1和M_Asg·mol^-1 ， 原子半径分别为r_Gapm和r_Aspm，阿伏加德罗常数值为N_A ， 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为。