1. (2022高三上·张掖月考) Ge、GaAs、CdTe、CdSe等均为重要的半导体材料，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：

1. （1） Ge基态原子核外电子排布式为［Ar］。
3. （2） 第四周期主族元素中，第一电离能介于Ga、As之间的元素是(填元素符号)。
5. （3） 碲的化合物TeO₂、TeO₃、H₂Te三种物质中，H₂Te的中心原子杂化类型为，分子构型为V形的是
7. （4） GaCl₃熔点为77.9℃，气体在270℃左右以二聚体存在，GaCl₃二聚体的结构式为。GaF₃熔点为1000℃，GaCl₃熔点低于GaF₃的原因是。
9. （5） CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。

   

   ①原子坐标参数A为( ， ， )，则B、C的原子坐标参数分别为、

   ②已知Cd、Se的半径分别为anm和bnm，则CdSe的密度为g·cm^-3(列出计算表达式，N_A表示阿伏加德罗常数的值)。