①用过氧化氢和盐酸蚀刻含铜电路板时发生的离子反应方程式为。
②反应后有气泡产生,且反应一段时间后,随着溶液变蓝,产生气泡的速率加快,可能的原因是。
①中键的数目为。
②蚀刻能力恢复的化学方程式为。
图-1 图-2
①为减少胶体形成而影响后续操作,溶液A为(选填“酸性”或“碱性”)蚀刻废液。
②时,铜元素回收率下降的原因为。
向一定质量的酸性蚀刻废液中。
(实验中必须使用的试剂:20%溶液、硝酸银溶液、稀硝酸、蒸馏水)
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