1. (2024·湛江模拟) 镓(Ga)是重要的半导体材料，氮化镓、砷化镓和氧化镓分别是第二代、第三代、第四代半导体材料的代表材料。金属镓在自然界中通常以微量分散于铝土矿、闪锌矿等矿石中，提取非常困难。从闪锌矿渣中提取镓是种常见的方法，具体工艺流程如下：

已知：①金属镓在化学性质上非常接近金属铝，其单质、氧化物和氢氧化物均有两性；

②闪锌矿渣通常含有 ， 、 ， 硅酸盐等杂质；

③25℃时，、。

回答下列问题：

1. （1） 为了提高镓的浸取率，可以采取的措施为(填写一种)。
3. （2） 滤渣Ⅰ中主要含有。
5. （3） 写出加入氧化锌后发生反应的离子方程式(以Ga为例)：。
7. （4） 工业上通常向溶液中通入过量 ， 产生大量白色沉淀，过滤后加热固体能得到高纯 ， 写出加入过量后的化学方程式：。
9. （5） 在工业上，通常用高纯镓作阴极，石墨作阳极，溶液作为电解质，通过电解制备高纯Ga．写出阴极电极反应式：。
11. （6） 氮化镓是目前应用最广泛的半导体材料之一，目前广泛应用于相控阵雷达、快速充电器等行业。氮化镓有不同的晶型，其中六方氮化镓和立方氮化镓之间可以相互转化。

    

    ①六方氮化镓晶体硬度极高，熔点为1700℃，其高温熔融物不导电。六方氮化镓属于晶体。

    ②写出六方氮化镓晶胞的组成：。

13. （7） ①已知的坐标为 ， 请写出的坐标。

    ②若立方氮化镓的边长为a nm，则其密度为(列出计算式)。