1. (2019高三下·黄山模拟) 第三代半导体材料氮化家（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：

1. （1） 基态Ga原子价层电子的轨道表达式为，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有种。
3. （2） HCN分子中ο键与π键的数目之比为，其中ο键的对称方式为。与CN^-互为等电子体的分子为。
5. （3） NaN₃的是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF₃的空间构型为。
7. （4） GaN、Gap、GaAs都是很好的半导体材料，品体类型与品体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因。

   	GaN	GaP	GaAs
   熔点	1700℃	1480℃	1238℃

9. （5） Ga晶胞结构如下图所示。已知六核柱底边边长为acm，阿伏加德罗常数的值N_A。

   

   ①品胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为：

   ②GaN的密度为g·cm^-3（用a、N_A表示）。