当前位置: 高中化学 /高考专区
试卷结构: 课后作业 日常测验 标准考试
| 显示答案解析 | 全部加入试题篮 | 平行组卷 试卷细目表 发布测评 在线自测 试卷分析 收藏试卷 试卷分享
下载试卷 下载答题卡

专题14:原子结构及性质

更新时间:2019-10-31 浏览次数:289 类型:一轮复习
一、单选题
二、填空题
  • 12.

    下列原子或离子的电子排布的表示方法中,正确的是,违反了能量最低原理的是,违反洪特规则的是

    ①Ca2+:1s22s22p63s23p6  

    ②F:1s22s23p6

    ④Cr:1s22s22p63s23p63d44s2  

    ⑤Fe:1s22s22p63s23p63d64s2

    ⑥Mg2+:1s22s22p6

三、综合题
  • 13. (2019高二下·大庆期末) A,B,C,D,E五种元素,它们的核电荷数依次增大,且都小于20。其中C、E是金属元素;A和E属同族,它们原子的最外层电子排布式为ns1。B和D也属同族,它们原子最外层的p能级电子数是s能级电子数的两倍。C原子的最外层电子数等于D原子的最外层电子数的一半。请回答下列问题:
    1. (1) 写出C元素基态原子的电子排布式:
    2. (2) 用电子排布图表示D元素原子的价电子:
    3. (3) 元素B与D的电负性的大小关系是BD(填“>”“<”或“=”,下同),E与C的第一电离能大小关系是EC。
    4. (4) 写出元素E和C的最高价氧化物对应的水化物之间反应的离子方程式
  • 14. (2019高二下·吉林期末) VA、VIIA族单质及化合物在生产生活中有着重要的作用。
    1. (1) N、P位于同一主族,NH3、PH3分子结构如下图所示:

      ①NH3和PH3中,N、P原子杂化方式相同,但H-N-H间的夹角比H-P-H间的大,其主要原因是

      ②NH3比PH3易液化,其主要原因是

    2. (2) 基态氟原子核外电子的运动状态有种,有种不同能量的原子轨道。
    3. (3) N与F可形成化合物N2F2 , 下列有关N2F2的说法正确的是(填字母)。

      a.分子中氮原子的杂化轨道类型为sp2

      b.其结构式为F-N≡N一F

      c.1mol N2F2含有的σ键的数目为4NA

  • 15. (2019·江西模拟) X、Y、Z、W、Q为原子序数依次增大的前四周期元素,X核外未成对电子数有2个,与其他元素均能形成二元化合物;Y是地壳中含量最多的金属元素;Z是遗传物质的组成元素之一;W内层电子数是最外层电子数的9倍;Q基态原子价层电子排布中成对电子数和未成对电子数相同,且成对电子数为最外层电子数的2倍。据此回答下列问题:
    1. (1) Q的基态原子的价层电子排布式为
    2. (2) X、Y、Z、W四种元素中,电负性最大的是(填元素符号,下同);同周期元素中,第一电高能介于Y 和Z之间的有
    3. (3) Y 和W的氯化物熔点高的是(填化学式),原因是;与Z的低价氯化物互为等电子体的离子是(填离子符号)。
    4. (4) 咖啡因对中枢神经有兴奋作用,其结构简式如图所示。常温下,咖啡因在水中的溶解度为2g,加适量水杨酸钠[C6H4(OH)(COONa)]可使其溶解度增大,其原因可能是,分子中氮原子的杂化类型有

    5. (5) 已知WX的密度为3.25 g/cm3 , 单元晶胞边长481pm,经计算可确定该单元晶胞中含有个WX,说明在形成晶体时,半径大的粒子先进行了方式的堆积,晶胞中距离W最近的X有个。
  • 16. (2019高二下·郑州期中) 我国科学家最近成功合成了世界上首个五氮阴离子盐(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用R代表)。回答下列问题:
    1. (1) 氮原子价层电子的轨道表达式(电子排布图)为
    2. (2) N元素和O元素的第一电离能较大的是(填元素符号)。
    3. (3) 与O3分子互为等电子体的一种阴离子为(填化学式)。
    4. (4) 肼(N2H4)分子可视为NH3分子中的一个氢原子被-NH2(氨基)取代形成的另一种氮的氢化物, N2H4分子中氮原子轨道的杂化类型是
    5. (5) H3O+中H—O—H键角比H2O中H—O—H键角大,原因为
    6. (6) R中两种阳离子的相同之处为_________(填标号)。
      A . 中心原子的杂化轨道类型 B . 中心原子的价层电子对数 C . 空间构型 D . 共价键类型
    7. (7) R的晶体密度为d g·cm3 , 其立方晶胞参数为a nm,晶胞中含有y个[(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl]单元,该单元的相对质量为M , 则y的计算表达式为
  • 17. (2019高三下·黄山模拟) 第三代半导体材料氮化家(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
    1. (1) 基态Ga原子价层电子的轨道表达式为,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有种。
    2. (2) HCN分子中ο键与π键的数目之比为,其中ο键的对称方式为。与CN-互为等电子体的分子为
    3. (3) NaN3的是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF3的空间构型为
    4. (4) GaN、Gap、GaAs都是很好的半导体材料,品体类型与品体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因

      GaN

      GaP

      GaAs

      熔点

      1700℃

      1480℃

      1238℃

    5. (5) Ga晶胞结构如下图所示。已知六核柱底边边长为acm,阿伏加德罗常数的值NA

      ①品胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为

      ②GaN的密度为g·cm-3(用a、NA表示)。

微信扫码预览、分享更方便

试卷信息