1. (2021·湖北模拟) 多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料。

1. （1） 已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示。

   

   	发生的主要反应
   电弧炉	SiO2+2C Si+CO↑
   流化床反应器	Si+3HCl SiHCl3+H2

   ①物质Z的名称是。

   ②用石英砂和焦在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅，该反应的化学方程式为

   ③在流化床反应的产物中，SiHCl₃大约占85%，还有SiCl₄、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl等，有关物质的沸点数据如表，提纯SiHCl₃的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和。

   物质	Si	SiCl4	SiHCl3	SiH2Cl2	SiH3Cl	HCl	SiH4
   沸点/℃	2355	57.6	31.8	8.2	-30.4	-84.9	-111.9

3. （2） 利用晶体硅的粉末与干燥的氮气在1300~1400℃下反应，可制取结构陶瓷材料氮化硅(Si₃N₄)。现用如图所示装置(部分仪器已省略)制取少量氮化硅。

   

   ①装置II中所盛试剂为。

   ②装置I和装置皿均需要加热，实验中应先(填“皿”或“I”)的热源。

5. （3） 由晶体硅制成的n型半导体、p型半导体可用于太阳能电池。一种太阳能储能电池的工作原理如图所示，已知锂离子电池的总反应为：Li_1-xNiO₂+xLiC₆ LiNiO₂+xC₆。完成下列问题。

   

   ①该锂离子电池充电时，n型半导体作为电源.(填“正”或“负”)极。

   ②该锂离子电池放电时，b极上的电极反应式为。