图甲为一种无限长单链结构的多硅酸根一部分,其中Si原子的杂化方式为,该多硅酸根的最简式为。
①晶胞中离Ti最近的O有个;由Ti原子和O原子构成的四面体空隙与二者构成的八面体空隙之比为。
②已知该晶体的密度为 ,则晶胞中Ti与O的最近距离是nm(用含 、 的代数式表示)。
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